[发明专利]一种硅基太阳能薄膜的制备方法

摘要

一种硅基太阳能薄膜的制备方法，涉及一种液相外延技术。该方法包括以下步骤：首先将In溶解，然后将装有衬底硅片的衬底夹具置入In中，升温，通过控制升温速度和时间控制硅片在溶剂中的溶解量，溶解30μm-40μm左右后开始降温，溶解于In中的硅原子由于溶解度的下降而外延生长于硅片上；10-20h后，将硅片载体缓慢提升出液面，冷却后将硅片取出。采用本发明的方法可由4-5N衬底硅片外延生长得到6N硅片。

主权项

一种硅基太阳能薄膜的制备方法，其步骤包括：步骤1：将4-5N硅片装入衬底夹具；石墨坩埚中装入作为溶剂的In；炉室内抽真空后通入惰性气体，同时关闭真空泵，保持微正压。步骤2：升温至In熔点156.634℃以上，将In溶解后，将装载有硅片的衬底夹具放入In熔液中；步骤3：逐渐升温至900℃，使硅片溶解；通过控制升温速度和时间控制硅片在溶剂中的溶解量；步骤4：降低温度0.2-1℃/h，溶解于In中的硅原子由于溶解度的下降而外延生长于衬底硅片上；10-20h后，将衬底夹具缓慢提升出液面，冷却后将硅片取出。