[发明专利]一种硅基太阳能薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种硅基太阳能薄膜的制备方法，其步骤包括：

步骤1：将4-5N硅片装入衬底夹具；石墨坩埚中装入作为溶剂的In；炉室内抽真空后通入惰性气体，同时关闭真空泵，保持微正压；

步骤2：升温至In熔点156.634℃以上，将In熔化后，将装载有硅片的衬底夹具放入In熔液中；

步骤3：逐渐升温至900℃，使硅片溶解；通过控制升温速度和时间控制硅片在溶剂中的溶解量；

步骤4：降低温度0.2-1℃/h，溶解于In中的硅原子由于溶解度的下降而外延生长于衬底硅片上；10-20h后，将衬底夹具缓慢提升出液面，冷却后将硅片取出。

2.如权利要求1所述的一种硅基太阳能薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1中的所述硅片经以下步骤的处理：

11、去除硅片表面的氧化膜；

12、硅片表面刻蚀；目的：使其层状溶解之后完成层状生长。

13、清洗后，对其中一个无需外延生长的硅片表面做氧化处理，形成氧化膜。

3.如权利要求1或2所述的一种硅基太阳能薄膜的制备方法，其特征在于：所述的4-5N硅片为单晶硅片或多晶硅片。

4.如权利要求1所述的一种硅基太阳能薄膜的制备方法，其特征在于：所述的溶剂In与硅片的比例为50～150∶1(w/w)。