[发明专利]掺锶硼酸钡紫外双折射晶体及其生长技术无效
| 申请号： | 200910111242.7 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101831704A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王国富;吴少凡;谢建凌;张莉珍;王国建 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00;G02B1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种紫外双折射晶体掺锶硼酸钡及其制备方法。该晶体的分子式为Ba1-xSrxB2O4(x＝0.001-0.23)，属于三方晶系，空间群R3c，Ba0.9Sr0.1B2O4的晶胞参数为透光范围在190-3500nm，紫外区的透过率达到90％，533nm波长的双折射率为：ne＝1.5379，n0＝1.6619，可作为紫外双折射晶体。采用提拉法生长。该晶体可广泛应用在Glan-Taylor，Glan-laser偏振器，尤其是高功率的紫外偏振器中。 | ||
| 搜索关键词： | 硼酸 紫外 双折射 晶体 及其 生长 技术 | ||
【主权项】：
1.一种掺锶硼酸钡紫外双折射晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Ba1-xSrxB2O4(x＝0.001-0.23)，属于三方晶系，空间群R3c，Ba0.9Sr0.1B2O4的晶胞参数为![]()
透光范围在190-3500nm，紫外区的透过率达到90％，533nm波长的双折射率为：ne＝1.5379，n0＝1.6619，可作为紫外双折射晶体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所，未经中国科学院福建物质结构研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910111242.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
