[发明专利]LED封装模块及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910108735.5 申请日: 2009-07-10
公开(公告)号: CN101691910A 公开(公告)日: 2010-04-07
发明(设计)人: 李金明 申请(专利权)人: 东莞市万丰纳米材料有限公司
主分类号: F21S2/00 分类号: F21S2/00;F21V19/00;F21V7/22;F21V29/00;F21V9/10;H01L23/373;H01L25/075;H01L33/00;F21Y101/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 523000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及照明用LED封装,包括基板和LED芯片,该基板具有固晶面和布线面,所述固晶面与所述布线面平行设置,所述固晶面之高度底于所述布线面,所述固晶面与所述布线面之间设有反射过度面;所述LED芯片设置于所述固晶面,所述固晶面与所述LED芯片之间还具有一热沉层,所述热沉层的材料为AuSn合金,其中Au的含量为1%-10%,Sn的含量为90%-99%,所述热沉层的厚度为0.001mm-0.05mm。本发明提供一种兼顾LED芯片与底层部件之间导热性和牢固度的LED封装模块,并提供一种制备该LED封装模块的方法。
搜索关键词: led 封装 模块 及其 制备 方法
【主权项】:
一种LED封装模块,包括基板和LED芯片,其特征在于:该基板具有固晶面和布线面,所述固晶面与所述布线面平行设置,所述固晶面之高度底于所述布线面,所述固晶面与所述布线面之间设有反射过度面;所述LED芯片设置于所述固晶面,所述固晶面与所述LED芯片之间还具有一热沉层,所述热沉层的材料为AuSn合金,其中Au的含量为1%-10%,Sn的含量为90%-99%,所述热沉层的厚度为0.001mm-0.05mm。
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