[发明专利]去除GaN基LED芯片蓝宝石衬底的方法无效
| 申请号： | 200910097893.5 | 申请日： | 2009-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101872814A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 江忠永;田洪涛;张向飞;徐瑾 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/304;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种去除GaN基LED芯片的蓝宝石衬底的方法，包括步骤：(1)采用圆片键合的方式制作导热基座；(2)机械研磨蓝宝石衬底；(3)ICP刻蚀蓝宝石衬底，采用本发明提供的方法，可以在蓝宝石衬底相对较厚时采用砂轮减薄蓝宝石衬底的方法，当蓝宝石衬底相对较薄时钻石研磨的方法，既有利于去除蓝宝石衬底的速度，也可避免高温，有利于保证器件可靠性，而采用ICP刻蚀蓝宝石，有助于保证去除蓝宝石衬底后，GaN基外延层厚度均匀一致，同时采用本方法，可以方便地实现衬底转移，不需专门的激光刻蚀设备，所用设备与普通的GaN基LED芯片制造设备通用，节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 gan led 芯片 蓝宝石 衬底 方法 | ||
【主权项】：
去除GaN基LED芯片的蓝宝石衬底的方法，其特征在于包括步骤：(1)采用圆片键合的方式制作导热基座；(2)机械研磨蓝宝石衬底；(3)ICP刻蚀蓝宝石衬底；其中，所述的采用圆片键合的方式制作导热基座，包括步骤：(A)在LED外延圆片的表面蒸镀p型GaN金属电极；(B)蒸镀焊料层，所述蒸镀焊料层键合外延圆片和导热基座；其中，所述的机械研磨蓝宝石衬底，包括步骤：(A)用砂轮减薄蓝宝石衬底；(B)用钻石研磨液研磨蓝宝石衬底；其中，所述ICP刻蚀蓝宝石衬底的方法为：调整ICP刻蚀条件，以较快速率刻蚀蓝宝石，较慢的速率刻蚀GaN基，去除蓝宝石衬底，从而保证剩余蓝宝石衬底的外延层厚度均匀性。
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