[发明专利]阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910091908.7 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101995714A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王峥 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 丁琛 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括衬底基板，衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅极扫描线，围设形成矩阵形式排列的多个像素单元，每个像素单元中设置有第一TFT开关和像素电极，衬底基板上还形成有公共电极线，阵列基板还包括与公共电极线相连的放电结构；放电结构包括电容、第二TFT开关和放电电源线；电容串联在公共电极线和第二TFT开关的第二栅电极之间，第二TFT开关的第二源电极连接至公共电极线，第二TFT开关的第二漏电极与放电电源线连接。本发明利用了放电结构中TFT开关的工作原理，能够当公共电极线的电压超过一定水平时对公共电极线进行放电，提高了公共电压的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅极扫描线，围设形成矩阵形式排列的多个像素单元，每个像素单元中设置有第一TFT开关和像素电极，所述衬底基板上还形成有公共电极线，其特征在于：还包括与所述公共电极线相连的放电结构；所述放电结构包括电容、第二TFT开关和放电电源线；所述电容串联在所述公共电极线和所述第二TFT开关的第二栅电极之间，所述第二TFT开关的第二源电极连接至所述公共电极线，所述第二TFT开关的第二漏电极与所述放电电源线连接。
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