[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 200910091465.1 | 申请日： | 2009-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101997081A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 尚大山;史磊;孙继荣;沈保根;赵同云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电致阻变存储器及其制备方法。该存储器包括绝缘衬底，在该绝缘衬底上的底电极，在该底电极上的WOx薄膜，其中x的范围为2≤x≤3，和在该WOx薄膜上的顶电极。该绝缘衬底可以为透明材料。该底电极和顶电极可以为透明导电材料。根据本发明的阻变存储器具有高透明性以及在宽温度范围内的高和低电阻状态的高稳定性和非易失性存储等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，其包括：绝缘衬底，在该绝缘衬底上的底电极，在该底电极上的WOx薄膜，其中x的范围为2≤x≤3，和在该WOx薄膜上的顶电极。
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