[发明专利]制备透明导电膜的设备的腔室系统及其工艺

摘要

本发明公开了一种制备透明导电膜的设备的腔室系统及其工艺，该腔室系统由七个腔室组成，依次是进片室、加热室A、二氧化硅沉积室、加热室B、TCO沉积室、冷却室和出片室，在TCO沉积室前后共设置了十个TCO靶材。生产流程是玻璃先在二氧化硅沉积室沉积厚度为30-60nm的SiO₂层，再利用两种工艺沉积两层总厚度为800-1000nm的TCO薄膜。本发明的优点在于特殊的靶位设计、射频加直流电源配比、TCO沉积室内前后靶位下的玻璃变速传送系统和两层沉积TCO技术拓宽了工艺调整范围，可以更大程度上改善膜结构，形成电阻率低、膜层致密、尺寸大的晶粒，具有较好的绒面。并且降低电阻率后，可以减薄TCO层，减少了对光的吸收损失，提高了透过率。可以有效提高薄膜太阳电池效率。

主权项

1、制备透明导电膜的设备的腔室系统，其特征在于，腔室系统由七个腔室组成，依次是进片室、加热室A、二氧化硅沉积室、加热室B、TCO沉积室、冷却室和出片室；所述的二氧化硅沉积室有两个二氧化硅靶材，两个射频电源；所述TCO沉积室有十个TCO靶材，TCO沉积室与加热室B相临的前半段分布四个TCO靶材，与冷却室相临的后半段分布六个TCO靶材，每个TCO靶材均选择直流电源和射频电源匹配，所述前四个TCO靶材和后六个TCO靶材所在的区域对应的传送系统分别配备一个电机，用于分别控制前后靶材区域地玻璃基底走速。