[发明专利]腔室环境的控制方法有效
| 申请号： | 200910084869.8 | 申请日： | 2009-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101894737A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 吴桂龙 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C16/30;H01L21/20;H01L21/3065;H01L21/311;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种腔室环境的控制方法，包括：对晶片进行等离子体加工工艺前，在腔室内原位沉积钝化层，使得腔室内部环境均被该钝化层覆盖，接着进行该晶片的等离子体加工工艺，于是各个晶片在加工过程中腔室内均为被钝化层覆盖的环境。在以后其他晶片的等离子体加工时，可以每隔几个晶片重复沉积一次所述钝化层，可选的，每连续加工一定数量的晶片后，在下一晶片加工前重新沉积一次钝化层。优选的，在腔室内原位沉积钝化层之后还包括：对所述钝化层进行等离子体清洗，以去除所述钝化层表面的附着物。采用本发明提供的控制方法在批量晶片的等离子体加工过程中控制腔室内的环境，有利于提高等离子体加工的生产效率和降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 环境 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种腔室环境的控制方法，其特征在于，包括：对晶片进行等离子体加工工艺前，在腔室内原位沉积钝化层，接着进行该晶片的等离子体加工工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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