[发明专利]一种放射性同位素中子源及其制备方法有效
| 申请号： | 200910084225.9 | 申请日： | 2009-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101562058A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 张名程 | 申请（专利权）人： | 北京树诚科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G21G4/02 | 分类号： | G21G4/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春生 |
| 地址： | 100048北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种放射性同位素中子源，包括有源芯及外壳，其中所述源芯为陶瓷体。优选为该中子源源芯包括氧化镅和/或氧化钚及金属铍，其中所述金属铍的颗粒度为100nm～200nm，且所述氧化镅和/或氧化钚及金属铍在制备过程中经球磨成纳米级颗粒。另外，本发明还提供一种制备放射性同位素中子源的方法。本发明所提供的放射性同位素中子源，由于其源芯为陶瓷体，因此源芯坚固、稳定，且在水中浸泡后不扩撒，大大降低了放射性污染。另外，源芯内部经球磨成纳米级颗粒，因此其内部金属铍颗粒分布均匀，颗粒大小均匀，中子输出均匀稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 放射性同位素 中子源 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种放射性同位素中子源，包括有源芯及外壳，其特征在于，所述源芯为陶瓷体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京树诚科技发展有限公司，未经北京树诚科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910084225.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种混凝土防渗与增强材料
- 下一篇：钻孔装置
