[发明专利]一种放射性同位素中子源及其制备方法有效
| 申请号： | 200910084225.9 | 申请日： | 2009-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101562058A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 张名程 | 申请（专利权）人： | 北京树诚科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G21G4/02 | 分类号： | G21G4/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春生 |
| 地址： | 100048北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 放射性同位素 中子源 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备放射性同位素中子源的方法，其特征在于，包括以下步骤：
a.称量配料：将二氧化镅和/或二氧化钚与金属铍进行称量，其中所述二氧化镅和/或二氧化钚的重量与金属铍的重量比为1∶6～1∶10；对助熔剂进行称量；
b.混合研磨：将上述称量出的物料先经初步混合，再进行球磨；所述初步混合在密闭环境下进行并同时加入所述助熔剂，初步混合完成后在密闭环境下放置3～4小时，所述球磨时间为10～12小时，且球磨完成后加入粘合剂并搅拌均匀；
c.压制成型：将上述混合研磨后的物料压制成所需形状；
d.烧结陶瓷：将上述所制成的物料进行烧结，制成陶瓷；
e.封装入壳：将上述烧结后的陶瓷体源芯封装入外壳中。
2.如权利要求1所述的制备放射性同位素中子源的方法，其特征在于，所述压制成型步骤中使用油压机和钢模压制成型。
3.如权利要求1所述的制备放射性同位素中子源的方法，其特征在于，所述烧结陶瓷步骤按以下操作烧结：
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