[发明专利]二氧化碳缓冲硅片打孔装置有效
| 申请号： | 200910083506.2 | 申请日： | 2009-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101880880A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 景玉鹏;惠瑜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23F1/12 | 分类号： | C23F1/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化碳缓冲硅片打孔装置，包括二氧化碳流量控制器、三氟化氯流量控制器、混合器、减压阀、压力表、真空泵、真空腔室、真空腔压力表、喷头、掩蔽板、硅片架、真空腔温度控制装置、后级泵和尾气处理装置；减压阀、真空泵、真空腔压力表、真空腔温度控制装置和后级泵分别连接于真空腔室，二氧化碳气体通过二氧化碳流量控制器进入混合器，三氟化氯气体通过三氟化氯流量控制器进入混合器，二氧化碳气体和三氟化氯气体在混合器中进行混合，混合气体依次通过减压阀和喷头进入真空腔室，然后经过掩蔽板的掩蔽和束流汇聚调节，对硅片架上的硅片进行打孔。本发明设备简单、刻蚀速率快、侧壁光滑度好、选择比大，实现了对硅片的打孔。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化碳 缓冲 硅片 打孔 装置 | ||
【主权项】：
一种二氧化碳缓冲硅片打孔装置，其特征在于，该装置包括二氧化碳流量控制器(1)、三氟化氯流量控制器(2)、混合器(3)、减压阀(4)、压力表(5)、真空泵(6)、真空腔室(7)、真空腔压力表(8)、喷头(9)、掩蔽板(10)、硅片架(11)、真空腔温度控制装置(12)、后级泵(13)和尾气处理装置(14)，其中：减压阀(4)、真空泵(6)、真空腔压力表(8)、真空腔温度控制装置(12)和后级泵(13)分别连接于真空腔室(7)，二氧化碳气体通过二氧化碳流量控制器(1)进入混合器(3)，三氟化氯气体通过三氟化氯流量控制器(2)进入混合器(3)，二氧化碳气体和三氟化氯气体在混合器(3)中进行混合，混合气体依次通过减压阀(4)和喷头(9)进入真空腔室(7)，然后经过掩蔽板(10)的掩蔽和束流汇聚调节，对硅片架(11)上的硅片进行打孔；真空腔室(7)通过真空腔温度控制装置(12)将温度控制在室温环境下，刻蚀完的尾气通过后级泵(13)抽出真空腔室(7)，并由后级泵(13)进入尾气处理装置(14)。
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