[发明专利]二氧化碳缓冲硅片打孔装置

权利要求书

1.一种二氧化碳缓冲硅片打孔装置，其特征在于，该装置包括二氧化碳流量控制器(1)、三氟化氯流量控制器(2)、混合器(3)、减压阀(4)、压力表(5)、真空泵(6)、真空腔室(7)、真空腔压力表(8)、喷头(9)、掩蔽板(10)、硅片架(11)、真空腔温度控制装置(12)、后级泵(13)和尾气处理装置(14)，其中：减压阀(4)、真空泵(6)、真空腔压力表(8)、真空腔温度控制装置(12)和后级泵(13)分别连接于真空腔室(7)，二氧化碳气体通过二氧化碳流量控制器(1)进入混合器(3)，三氟化氯气体通过三氟化氯流量控制器(2)进入混合器(3)，二氧化碳气体和三氟化氯气体在混合器(3)中进行混合，混合气体依次通过减压阀(4)和喷头(9)进入真空腔室(7)，然后经过掩蔽板(10)的掩蔽和束流汇聚调节，对硅片架(11)上的硅片进行打孔；真空腔室(7)通过真空腔温度控制装置(12)将温度控制在室温环境下，刻蚀完的尾气通过后级泵(13)抽出真空腔室(7)，并由后级泵(13)进入尾气处理装置(14)。

2.根据权利要求1所述的二氧化碳缓冲硅片打孔装置，其特征在于，所述三氟化氯气体作为刻蚀反应气体，所述二氧化碳气体作为缓冲剂。

3.根据权利要求1所述的二氧化碳缓冲硅片打孔装置，其特征在于，所述真空泵(6)对真空腔室(7)进行抽真空，将真空腔室(7)内的压力维持在10^-7atm，通过真空腔压力表(8)监视真空腔室(7)内的压力。

4.根据权利要求1所述的二氧化碳缓冲硅片打孔装置，其特征在于，所述二氧化碳流量控制器(1)一端连接于存储二氧化碳气体的钢瓶，一端连接于混合器(3)；所述三氟化氯流量控制器(2)一端连接于存储三氟化氯气体的钢瓶，一端连接于混合器(3)。

5.根据权利要求1所述的二氧化碳缓冲硅片打孔装置，其特征在于，所述二氧化碳和三氟化氯的混合气体经过减压阀(4)减压后压力减到10Pa，并通过压力表(5)指示压力，此时混合气体压力与背景压力比为1000。

6.根据权利要求1所述的二氧化碳缓冲硅片打孔装置，其特征在于，所述二氧化碳和三氟化氯的混合气体从喷头(9)喷出，经过掩蔽板(10)的掩蔽和束流汇聚调节，打到硅片架(11)上固定的硅片上，在三氟化氯气体的化学腐蚀的作用下，对硅片进行打孔。

7.根据权利要求1所述的二氧化碳缓冲硅片打孔装置，其特征在于，所述尾气处理装置(14)采用氢氧化钙或小苏打对尾气进行吸收处理。