[发明专利]顶栅ZnO多纳米线场效应晶体管的制作方法无效
| 申请号： | 200910080917.6 | 申请日： | 2009-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101847581A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 徐静波;付晓君;张海英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;B82B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作顶栅ZnO多纳米线场效应晶体管的方法，包括：在衬底表面生长SiO2介质；在生长的SiO2介质上制作底层源漏电极；超声降解ZnO纳米线材料；将纳米线放至底层源漏电极之上，实现多根悬浮ZnO纳米线的规则排列；在底层源漏电极之上制作覆盖ZnO纳米线的顶层源漏电极；在ZnO纳米线之上生长栅氧介质层；在栅氧介质层之上制作顶栅电极。本发明利用ZnO纳米线材料，经过上述工艺流程，达到了制作顶栅ZnO多纳米线场效应晶体管器件的目的。 | ||
| 搜索关键词： | zno 纳米 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作顶栅ZnO多纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：步骤101：在衬底表面生长SiO2介质；步骤102：在生长的SiO2介质上制作底层源漏电极；步骤103：超声降解ZnO纳米线材料；步骤104：将纳米线放至底层源漏电极之上，实现多根悬浮ZnO纳米线的规则排列；步骤105：在底层源漏电极之上制作覆盖ZnO纳米线的顶层源漏电极；步骤106：在ZnO纳米线之上生长栅氧介质层；步骤107：在栅氧介质层之上制作顶栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
