[发明专利]阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910080542.3 | 申请日： | 2009-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101840121A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 郝昭慧;董敏;张弥 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示器技术领域，解决了现有技术中数据扫描线和栅极扫描线之间寄生电容过大的问题，并可以防止静电击穿。本发明实施例的阵列基板在在薄膜晶体管的栅极与源/漏极之间设有气体层，并且在栅极扫描线与数据扫描线交叉处设有位于栅极扫描线和数据扫描线之间的气体层。本发明实施例主要用在液晶显示器领域，特别用在需要较小数据扫描线和栅极扫描线之间寄生电容的阵列基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括基板，以及在基板上形成的栅极扫描线、数据扫描线、像素电极和薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连、源极与数据扫描线相连、漏极与像素电极相连；其特征在于，所述薄膜晶体管的栅极与源/漏极之间设有气体层；所述栅极扫描线与数据扫描线交叉处设有位于栅极扫描线和数据扫描线之间的气体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910080542.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
