[发明专利]薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器无效
| 申请号： | 200910079276.2 | 申请日： | 2009-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101504446A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 刘桂雄;刘宏;张沛强 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 北京捷诚信通专利事务所 | 代理人： | 魏殿绅 |
| 地址： | 510640广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器，包括压电基片、两个叉指换能器IDT、一层磁流体薄膜及两组收发电磁波信号的天线，所述两个叉指能换能器IDT分别位于基片的两端；所述磁流体薄膜填注在传感器表面两个叉指换能器之间的浅槽中并封装；两组收发外界射频信号的天线，分别连接在两个IDT的两条汇流条上。该传感器可实现无源无线高精度实时的磁场强度测量，通过天线接收射频信号在IDT上激发水平剪切声表面波，由于磁流体对外磁场变化的零迟滞响应，瞬时改变声表面波延迟线的延迟时间，即磁流体的粘度变化改变声波波速，再将波速变化后的声表面波经IDT转换为电磁波由天线发射出去，根据延迟时间与磁场强度变化的对应关系，即可准确测量出磁场变化。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 结构 流体 表面波 集成 传感器 | ||
【主权项】：
1、薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器，其特征在于，所述装置包括：压电基片、两个叉指换能器IDT、磁流体薄膜及两组天线，所述叉指换能器位于压电基片的两端，所述磁流体填注于压电基片表面中间的浅槽中形成磁流体薄膜，并将具有磁流体薄膜的浅槽进行封装，所述天线分别连接于叉指换能器IDT的两条汇流条上。
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