[发明专利]薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器

说明书

技术领域

本发明涉及磁传感器的生产及应用领域，尤其涉及薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器。

背景技术

目前，随着信息产业、工业自动化、电力电子技术、交通运输、医疗仪器、办公自动化、家用电器等飞速发展和电子计算机应用的普及，需要大量传感器将被测非电参量转换成可与计算机兼容的电讯号，这就为磁传感器的快速发展提供了机会，形成了相当可观的磁传感器产业。

传统的磁传感器多为基于磁阻效应的磁敏电阻或巨磁电阻加工制成测量磁场的磁传感器。包括最早的基于霍尔效应的霍尔效应器件，基于载流子畴磁场调制的载流子畴器件，基于磁敏电阻的各向异性的金属膜磁敏器件，基于巨磁阻抗或巨磁感应效应的巨磁阻抗传感器，基于磁致伸缩效应的磁致伸缩传感器，基于法拉第电磁感应效应的磁电感应传感器，基于材料的B-H饱和特性的磁通门磁强计，基于核磁共振的核磁共振磁强计，基于法拉第效应或磁致伸缩的磁光传感器等。

声磁传感器基于材料的磁致伸缩效应，当对其施加交变磁场激励信号，并且交变激励信号的频率与材料的固有频率相等时，材料将产生磁力共振，接收装置检测到材料由于共振而产生的声波信号，并经过处理得到声磁传感器的共振频率及响应幅值，从而反映磁场变化。用声表面波器件进行磁场测量的方法，目前是以超磁致伸缩材料为间接媒质，将超磁致伸缩材料受外磁场变化产生的应力转化为谐振器的频率、幅值变化，进而通过测量声表面波谐振器频率幅值的变化来测量外磁场变化。

上述各种磁传感器测量磁场强度范围受其各自原理限制，即使是超磁致伸缩材料制成的磁传感器反应灵敏度也不够高，实时性不够好，且上述磁传感器均不易实现无源无线的信号激励和收发控制。

发明内容

本发明的目的在于通过磁流体膜在外加磁场变化时有明显的粘度变化，即磁流体对声表面波产生的粘性负载效应明显变化而改变声表面波延迟线的延迟时间，即外磁场变化改变声表面波传播的波速；使外磁场强度变化与SH-SAW器件延迟时间变化建立起对应关系，可以精确，实时地测量磁场强度变化，即形成磁传感器。

为了达到上述目的，本发明提出薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明所涉及的薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器，包括：

所述装置包括：压电基片、两个叉指换能器IDT、磁流体薄膜及两组天线，所述叉指换能器位于压电基片的两端，所述磁流体填注于压电基片表面中间的浅槽中形成磁流体薄膜，并将具有磁流体薄膜的浅槽进行封装，所述天线分别连接于叉指换能器IDT的两条汇流条上。

所述传感器的基片材料为石英晶体，采用36°Y切割X方向传播的加工方式，使得基片表面激发水平剪切声表面波SH-SAW。

所述传感器在压电基片表面将叉指换能器IDT加工成指条宽度为四分之一水平剪切声表面波波长的等周期和等指长的叉指电极；所述传感器的叉指换能器材料为金属铜。

所述磁流体薄膜位于传感器两叉指换能器之间的浅槽中，浅槽厚度小于水平剪切声表面波波长，使得传感器通过磁流体薄膜粘度变化导致的声波波速变化对外磁场强度变化进行测量。

所述传感器是利用磁流体的粘性负载效应对声表面波波速产生影响，从而影响延迟线延迟时间实现被测磁场变化的测量，该磁-声耦合发生在微米数量级，使得传感器测量精度较高，且所述的磁传感器采用的磁流体膜对外磁场变化响应无延时，以实现实时监测。

所述传感器的两组天线分别连接于IDT的两条汇流条上接收和发送射频信号，以实现水平剪切声表面波的激发及波速变化后声波转换为电磁波的发射。

所述传感器还能实现无源无线的磁场强度变化检测。

本发明提供的技术方案的有益效果是：

1、温度特性好(温度系数为零)，传播损耗小(声表面波有效的机电耦合系数大)，加工容易且成本低廉；

2、有效测量静磁场和交变、高频磁场强度变化，零迟滞，精度高；

3、该传感器可实现无源无线的磁场强度测量，尤其对于不宜采用电源或需遥测的传感系统较之传统的有源有线传感器更为适用；

4、器件小、稳定，适合集成到微型检测系统中。

附图说明

图1为薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器的二维立体结构示意图；

图2为薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器的平面结构俯视图；

图3为薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器的传感原理图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述：