[发明专利]薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器

权利要求书

1.薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器，其特征在于，所述装置包括：压电基片、两个叉指换能器IDT、磁流体薄膜及两组天线，所述叉指换能器位于压电基片的两端，所述磁流体填注于压电基片表面中间的浅槽中形成磁流体薄膜，并将具有磁流体薄膜的浅槽进行封装，所述两组天线分别连接于叉指换能器IDT的两条汇流条上；

所述传感器的基片材料为石英晶体，采用36°Y切割X方向传播的加工方式，使得基片表面激发水平剪切声表面波SH-SAW；设置在压电基片两端表面上的叉指换能器加工成指条宽度为四分之一水平剪切声表面波波长的等周期及等指长的叉指电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器，其特征在于，所述传感器的叉指换能器材料为金属铜。

3.根据权利要求1所述的薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器，其特征在于，所述磁流体薄膜位于传感器两叉指换能器之间的浅槽中，浅槽厚度小于水平剪切声表面波波长，使得传感器通过磁流体薄膜粘度变化导致的声波波速变化对外磁场强度变化进行测量。

4.根据权利要求1或3所述的薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器，其特征在于，所述传感器是利用磁流体的粘性负载效应对声表面波波速产生影响，从而影响延迟线延迟时间实现被测磁场变化的测量，且所述传感器采用的磁流体膜对外磁场变化响应无延时，以实现实时监测。

5.根据权利要求1所述的薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器，其特征在于，所述传感器的两组天线分别连接于IDT的两条汇流条上接收和发送射频信号，以实现水平剪切声表面波的激发及波速变化后声波转换为电磁波的发射。

6.根据权利要求1所述的薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器，其特征在于，所述传感器还能实现无源无线的磁场强度变化检测。