[发明专利]一种制备DLC薄膜的方法、由此制造的DLC膜容器及生产装置无效
申请号: | 200910079138.4 | 申请日: | 2009-03-04 |
公开(公告)号: | CN101497994A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | (请求不公开姓名) | 申请(专利权)人: | 张海涛 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/517;B65D1/00;B65D25/34;B65D30/02;B65D65/40;B29C49/00 |
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地址: | 101100北京市通州*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种改善内表面沉积膜层膜基结合强度及提高沉积膜层均匀性的工艺、装置和方法。装置特征是:设计出一套容器内壁DLC膜制备及生产装置,包括高频与偏压复合电源,真空反应室,集磁装置等。在生产过程中,通过向所述的外端电极(3)施加高频,在所述中心管电极(7)与外端电极(3)之间产生电势差,由此激发气体产生等离子体,同时在所述外端电极(3)上施加直流负偏压,使正离子加速轰击容器内壁,增强了DLC膜与基体的结合力。还有,由于容器内部等离子体分布不均匀,会造成成膜厚度不均匀。根据带电粒子在磁场中受电磁力作用,引入磁场改变等离子体分布,使得等离子体分布在磁场的作用下可控,得到高质量涂层。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 dlc 薄膜 方法 由此 制造 容器 生产 装置 | ||
【主权项】:
1、一种用于制造覆有DLC薄膜容器的装置,包括RF/DC复合电源,真空室,真空泵,气体供给装置,外端电极(3)与中心管电极(7),集磁装置等。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的