[发明专利]具有低导通电阻的沟槽DMOS器件有效
| 申请号： | 200910072919.0 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101656269A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 王颖;程超;曹菲;杨晓冬 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/38;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区南通*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的是一种具有低导通电阻的沟槽DMOS器件，该沟槽DMOS晶体管单元包括第一导电类型的衬底、第一导电类型的外延层和位于其上的体区，体区具有第二导电类型；至少一个沟槽贯穿体区并延伸进入外延层；沟槽内壁衬有隔离介质层，导电电极位于沟槽中覆盖隔离介质层；第一导电类型的源区位于邻近沟槽的体区上部；它还具有位于紧邻沟槽下端的第二导电类型掺杂区，并且所述第二导电类型掺杂区被第一导电类型掺杂区包围，第一导电类型掺杂区的掺杂浓度高于外延层。本发明提供的沟槽DMOS器件相比传统沟槽DMOS器件具有更低的导通电阻，更易满足功率电子系统的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通电 沟槽 dmos 器件 | ||
【主权项】：
1、一种具有低导通电阻的沟槽DMOS器件，该沟槽DMOS晶体管单元包括第一导电类型的衬底(46)、第一导电类型的外延层(45)和位于其上的体区(42)，体区(42)具有第二导电类型；至少一个沟槽(48)贯穿体区并延伸进入外延层；沟槽内壁衬有隔离介质层(38)，导电电极(40)位于沟槽中覆盖隔离介质层；第一导电类型的源区(39)位于邻近沟槽的体区上部；其特征是：它还具有位于紧邻沟槽(48)下端的第二导电类型掺杂区(43)，并且所述第二导电类型掺杂区(43)被第一导电类型掺杂区(44)包围，第一导电类型掺杂区(44)的掺杂浓度高于外延层(45)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工程大学，未经哈尔滨工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910072919.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：激光晶体抗热畸变的冷却装置及实现方法
- 下一篇：大直径硅片的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
