[发明专利]具有外腔偏振控制的垂直腔面发射激光器有效
| 申请号： | 200910066782.8 | 申请日： | 2009-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101521355A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 王伟;宁永强;秦莉;刘云;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/14;G02B5/18;H01S5/0683 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人： | 赵炳仁 |
| 地址： | 130033吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及到一种垂直腔面发射激光器，特别是一种具有外腔偏振控制的垂直腔面发射激光器，主要包括p型DBR层、有源层、n型DBR层、GaAs衬底、包覆在p型DBR层上的p面电极和敷设在GaAs衬底底部的n面电极和设置在出射光光轴上的外腔高反射镜，其特点是，在出射光窗口和外腔高反射镜之间还设置一非晶态硅光栅。本发明通过上述外腔结构，能够对输出光的偏振特性进行很好的稳定和控制，达到很高的偏振选择比，同时提高了线性偏振光的输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 偏振 控制 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
1. 一种具有外腔偏振控制的垂直腔面发射激光器，主要包括p型DBR层(2)、有源层(5)、n型DBR层(6)、GaAs衬底(7)、包覆在p型DBR层(2)上的p面电极(1)和敷设在GaAs衬底(7)底部的n面电极(8)和设置在出射光光轴上的外腔高反射镜(10)，其特征在于，在出射光窗口和外腔高反射镜(10)之间还设置一非晶态硅光栅(9)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910066782.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电网恢复的远方同期方法
- 下一篇：消除电路中电冗余的滤波装置及电装置
