[发明专利]一种有机薄膜场效应管及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910059365.0 申请日: 2009-05-21
公开(公告)号: CN101556987A 公开(公告)日: 2009-10-14
发明(设计)人: 于军胜;李璐;蒋亚东;余双江 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40;C07C25/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610054四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种有机薄膜场效应管,包括基板、栅电极、绝缘层、有机半导体层、漏电极和源电极,结构组成包括顶部接触式、底部接触式和顶部栅极式,其特征在于,所述有机半导体层中设置有单层或者多层非掺杂感应增效层,所述增效层的厚度小于5nm,材料包括金属、金属盐和具有强吸电子基团的有机化合物。本发明所提供的有机薄膜场效应管,结构新颖,可实现高迁移率和开关比,改善有机半导体层中载流子的传输,可制成柔性器件;采用非掺杂的工艺在有机层中置入非掺杂感应增效层,从而提高器件载流子的迁移率。
搜索关键词: 一种 有机 薄膜 场效应 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种有机薄膜场效应管,包括基板、栅电极、绝缘层、有机半导体层、漏电极和源电极,结构组成包括顶部接触式、底部接触式和顶部栅极式,其特征在于,所述有机半导体层中设置有单层或者多层非掺杂感应增效层,所述增效层的厚度小于5nm,材料包括金属、金属盐和具有强吸电子基团的有机化合物。
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