[发明专利]锗硅Bi-CMOS器件制备工艺有效
| 申请号： | 200910057524.3 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101937879A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249;G03F7/038 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅Bi-CMOS器件制备工艺，其中形成锗硅Bi-CMOS器件的侧墙和金属硅化物阻挡层包括以下步骤：1，介质膜层沉积；2，旋涂负性光刻胶；3，使用金属硅化物阻挡层的光罩进行曝光，形成金属硅化物阻挡层图形；4，刻蚀，形成侧墙，同时去除非金属硅化物阻挡层处的介质膜层；5，成长保护CMOS器件的介质膜层；6，光刻，刻蚀打开Si/Ge生长区；7，后续的Si/Ge器件形成工艺。本发明采用负性光刻胶进行金属硅化物阻挡层光刻，从而通过一次光刻刻蚀形成侧墙和金属硅化物阻挡层，简化工艺流程，提高器件的成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅 bi cmos 器件 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种锗硅Bi‑CMOS器件制备工艺，其特征在于，形成锗硅Bi‑CMOS器件的侧墙和金属硅化物阻挡层包括以下步骤：1)首先，在整个锗硅双极区和CMOS区上面全面沉积介质膜层；2)接着，在介质膜层上旋涂负性光刻胶；3)使用金属硅化物阻挡层的光罩进行曝光，形成金属硅化物阻挡层图形；4)刻蚀，形成CMOS器件的侧墙，同时去除非金属硅化物阻挡层处的介质膜层；5)成长保护CMOS器件的介质膜层；6)光刻，刻蚀打开Si/Ge生长区；7)后续的Si/Ge器件形成工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
