[发明专利]氮化镓系发光二极管的制造方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓系发光二极管的制造方法。首先，提供一成长基板；然后，在基板上形成一氮化镓系半导体外延层，此氮化镓系半导体外延层依次层叠有一N型氮化镓系层、一发光层及一P型氮化镓系层，在P型氮化镓系层上形成一数码穿透层。接着，再以干法刻蚀工艺依次刻蚀数码穿透层、P型氮化镓系层并终止于发光层，以在发光层形成N-金属形成区。接下来，在数码穿透层上形成一第一欧姆接触电极用于作为P型欧姆接触，在发光层上形成一第二欧姆接触电极，用于作为N型欧姆接触。接着，同时在第一欧姆接触电极及第二欧姆接触电极上分别各形成一黏接垫。最后，在该P/N接面之上覆盖一保护层。本发明可大幅增加氮化镓系发光二极管的发光效率。

主权项

一种氮化镓系发光二极管的制造方法，其特征在于，该方法包含：提供一基板；在所述基板上形成一氮化镓系半导体外延层，该氮化镓系半导体外延层是由依次层叠的一N型氮化镓系层、一发光层及一P型氮化镓系层所组成，其中该发光层为发射光波的光源；在所述P型氮化镓系层上形成一数码穿透层，该数码穿透层具有P型欧姆接触的功能且对该发光层所发射的光波具有良好的光穿透率；以一阶段性干法刻蚀工艺依次刻蚀该数码穿透层、该P型氮化镓系层、该发光层并终止于该发光层内，以形成一N-金属形成区；在所述数码穿透层上形成一第一欧姆接触电极，做为该P型欧姆接触层用；在所述N-金属形成区上形成一第二欧姆接触电极，做为该N型欧姆接触层用；在该第一欧姆接触电极与该第二欧姆接触电极上分别形成一黏接垫；以及在该P/N接面之上覆盖一保护层。