[发明专利]在多晶硅膜层中形成窄沟槽结构的制备方法无效
| 申请号： | 200910055509.5 | 申请日： | 2009-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101625967A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 徐爱斌;李荣林;李栋;董耀旗;宗登刚 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在多晶硅膜层中形成窄沟槽结构的制备方法，包括如下步骤：在多晶硅膜层上淀积第一层氮化硅膜层；在第一层氮化硅膜层上涂布光刻胶，光刻定义沟槽区域；刻蚀曝光露出的第一层氮化硅膜层，去除剩余光刻胶；在刻蚀后的第一层氮化硅膜层上淀积第二层氮化硅膜层；干法刻蚀第二层氮化硅膜层，并在第一层氮化硅膜层中形成侧墙和隔离区；用刻蚀后剩余的氮化硅膜层作为硬掩膜层，刻蚀多晶硅膜层，在多晶硅膜层内形成窄沟槽结构；去除剩余的氮化硅膜层。本发明不需要改进光刻设备即可在多晶硅膜层中制备宽度＜＝0.10um的窄沟槽结构，且窄沟槽的宽度可以通过改变第二层氮化硅膜层的厚度控制。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅膜层中 形成 沟槽 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在多晶硅膜层中形成窄沟槽结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在所述多晶硅膜层上淀积第一层氮化硅膜层；(2)在所述的第一层氮化硅膜层上涂布光刻胶，并光刻定义沟槽区域；(3)刻蚀曝光露出的所述第一层氮化硅膜层，并去除剩余的光刻胶；(4)在刻蚀后的第一层氮化硅膜层上淀积第二层氮化硅膜层；(5)干法刻蚀所述第二层氮化硅膜层，并在所述第一层氮化硅膜层中形成侧墙和隔离区；(6)用刻蚀后剩余的氮化硅膜层作为硬掩膜层，刻蚀所述的多晶硅膜层，在所述多晶硅膜层内形成窄沟槽结构；(7)去除剩余的氮化硅膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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