[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法有效
| 申请号： | 200910054955.4 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101958346A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，所述横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：衬底，所述衬底上的深阱及所述深阱两侧的隔离层；位于所述深阱中的栅极结构；位于所述栅极结构一侧的深阱中的具有阶梯状载流子浓度分布的源区；位于所述栅极结构另一侧的深阱内的接触孔，以及与接触孔处于深阱内一端电连接的漏极；其中，所述漏极与所述源区具有深度差。本发明提供一种新型的LDMOS器件，使其在不增加器件横向距离的基础上，可实现对开态电阻和击穿电压的调整。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：衬底，所述衬底上的深阱及所述深阱两侧的隔离层；位于所述深阱中的栅极结构；位于所述栅极结构一侧的深阱中的具有阶梯状载流子浓度分布的源区；位于所述栅极结构另一侧的深阱内的接触孔，以及与接触孔处于深阱内一端电连接的漏极；其中，所述漏极与所述源区具有深度差。
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