[发明专利]形成相变材料的装置以及制造相变存储器的系统有效
| 申请号： | 200910054946.5 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101958396A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种形成相变材料的装置以及制造相变存储器的系统，其中，所述相变材料为气态的含氢硫族化物，所述形成相变材料的装置至少包括：反应室，用于承载第一反应物以及提供反应场所以产生所述相变材料；牵引控制单元，用于牵引第二反应物，使其在所述反应室中与所述第一反应物进行反应并控制两者的反应速度。本发明保证了含氢的硫族化物在被产生及作为所述相变材料被应用于制备相变存储器的过程中保持稳定，并且便于多种含氢的硫族化物以及杂质离子的混合使用及相应的浓度控制。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 相变 材料 装置 以及 制造 存储器 系统 | ||
【主权项】：
一种形成相变材料的装置，其特征在于，所述相变材料为气态的含氢硫族化物，所述装置至少包括：反应室，用于承载第一反应物以及提供反应场所以产生所述相变材料；牵引控制单元，用于牵引第二反应物，使其在所述反应室中与所述第一反应物进行反应并控制两者的反应速度。
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