[发明专利]集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法

摘要

本发明涉及一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片，在单一的存储芯片内，集成有多个的存储模块，这些电阻转换存储模块具备不同的编程功耗、不同的编程速率以及不同的数据保持能力等。在存储器，特别是嵌入式存储器的使用过程中，充分发挥各种性能不同存储模块的优势：对于速度要求较高的数据采用高速模块进行存储，对于长时间保存的数据采用较高数据保持能力的模块进行存储，对于经常读写的数据采用低功耗高疲劳特性的模块进行存储。

主权项

1.一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片，单一的存储芯片内包含至少2种电阻转换存储模块，其特征在于：在所述的单一的存储芯片内集成有至少2种具备不同的编程功耗、编程速率、疲劳特性或数据保持能力的电阻转换存储模块；所述不同的电阻转换存储模块采用不同性能的存储材料，或具备不同的器件结构，包括不同的电极材料、形状或尺寸，不同的器件保温结构，不同的加热及保温层，不同的存储单元形状和尺寸；至少2种电阻转换存储模块在存储芯片中共享驱动电路及外围电路，各个存储模块是一体制造，或者是通过集成分立存储模块得到。