[发明专利]碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法有效
| 申请号： | 200910053571.0 | 申请日： | 2009-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101602185A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 储耀卿;陈之战;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;C09G1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法，属于晶体材料加工技术领域。本发明对碳化硅单晶采用多级化学机械抛光、调控不同pH值、抛光压力及转速，使得在保持低翘曲，低弯曲，高平整度，厚度均匀性好的前提条件下，有效地降低了晶片的表面损伤，改善了晶片表面粗糙度水平。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 表面 多级 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
1、碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法，包括下述步骤：(1)碳化硅单晶表面采用pH值为12～13.5，浓度为30％～50％，粒度大小为80～100nm的SiO2胶体作为抛光液进行抛光，采用抛光布并控制抛光压力为150～400g/cm2，抛光盘转速为70～100r/min；(2)对步骤(1)加工后碳化硅单晶表面采用pH值为10～12，浓度为15％～30％，粒度大小为50～80nm的SiO2胶体作为抛光液进行抛光，采用抛光布并控制抛光压力为400～1000g/cm2，抛光盘转速为50～70r/min；(3)对步骤(2)加工后碳化硅单晶表面采用pH值为8～10，浓度为5％～15％，粒度大小为30～50nm的SiO2胶体作为抛光液进行抛光，控制抛光压力为150～400g/cm2，抛光盘转速为30～50r/min。
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