[发明专利]袋形注入区的离子注入方法及MOS晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 200910052645.9 | 申请日： | 2009-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101908487A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 赵猛;王津洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种袋形注入区的离子注入方法及MOS晶体管的制作方法，所述离子注入方法包括：将晶圆以通过晶圆中心且垂直于晶圆的直线为轴、以顺时针方向或逆时针方向旋转初始角度；在初始角度下，进行形成袋形注入区的离子注入；将晶圆以所述直线为轴旋转一次基本角度，其旋转方向与旋转初始角度的方向相同；在所述基本角度下，进行形成袋形注入区的离子注入；保持离子注入的方向不变，重复进行形成袋形注入区的离子注入和旋转基本角度的步骤，直至晶圆回到旋转初始角度后的位置。与现有技术相比，本发明优化了现有袋形区离子注入方法和旋转用初始角度的设定，可以进一步降低MOS晶体管的结电容，改善结漏电现象，从而能降低功耗并提高运行速度。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 离子 方法 mos 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种形成MOS晶体管袋形注入区的离子注入方法，其特征在于，包括：根据晶圆及其上MOS晶体管的类型，将所述晶圆以通过晶圆中心且垂直于晶圆的直线为轴、以顺时针方向或逆时针方向旋转初始角度；在所述初始角度下，进行形成袋形注入区的离子注入；将所述晶圆以所述直线为轴旋转一次基本角度，旋转基本角度的方向与旋转初始角度的方向相同；在所述基本角度下，进行形成袋形注入区的离子注入；保持离子注入的方向不变，重复进行形成袋形注入区的离子注入和旋转基本角度的步骤，直至所述晶圆回到旋转初始角度后的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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