[发明专利]绝缘源漏极MOS晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200910052183.0 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101567385A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种绝缘源漏极MOS晶体管及其制造方法，得到的绝缘源漏极MOS晶体管包括：半导体衬底；浅沟槽，位于所述半导体衬底上；源极多晶硅和漏极多晶硅，分别位于所述浅沟槽内，两者之间具有沟道区；栅极绝缘层，位于所述沟道区上；栅极区域，位于所述栅极绝缘层上，其中，所述浅沟槽的侧壁和底部具有垫氧化层，侧壁的垫氧化层顶部具有接触窗，所述源极多晶硅和漏极多晶硅在接触窗处具有外延单晶硅层或者化学气相沉积有多晶硅层。本发明提出一种绝缘源漏极MOS晶体管及其制造方法，其具有较高的源漏极崩塌电压以及击穿电压，并且能够有效抑制短沟道效应和浮体效应。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 源漏极 mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘源漏极MOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；浅沟槽，位于所述半导体衬底上；源极多晶硅和漏极多晶硅，分别位于所述浅沟槽内，两者之间具有沟道区；栅极绝缘层，位于所述沟道区上；栅极区域，位于所述栅极绝缘层上，其中，所述浅沟槽的侧壁和底部具有垫氧化层，侧壁的垫氧化层顶部具有接触窗，所述源极多晶硅和漏极多晶硅在接触窗处具有外延单晶硅层或者化学气相沉积有多晶硅层。
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