[发明专利]绝缘源漏极MOS晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200910052183.0 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101567385A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 源漏极 mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种绝缘源漏极MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底上沉积有绝缘层和牺牲层；
以牺牲层为掩模进行蚀刻，形成图案化的有源区；
去除牺牲层并在半导体衬底上形成浅沟槽；
在浅沟槽内形成垫氧化层；
在浅沟槽内沉积多晶硅层；
对浅沟槽内的多晶硅层进行化学机械研磨和回蚀刻，形成源极区域和漏极 区域；
蚀刻露出浅沟槽侧壁的垫氧化层，并在其上形成接触窗；
在多晶硅层上的接触窗处生成外延的单晶硅层；
在所述外延的单晶硅层表面沉积高氧化层，并对其进行化学机械研磨和回 蚀刻；
去除绝缘层形成栅极绝缘层并沉积栅极区域。
2.根据权利要求1所述的绝缘源漏极MOS晶体管的制造方法，其特征在于， 所述绝缘层的材料为氮化硅。
3.根据权利要求1所述的绝缘源漏极MOS晶体管的制造方法，其特征在于， 所述浅沟槽的深度为100埃～3000埃。
4.根据权利要求1所述的绝缘源漏极MOS晶体管的制造方法，其特征在于， 所述垫氧化层的厚度为20埃～1000埃。
5.根据权利要求1所述的绝缘源漏极MOS晶体管的制造方法，其特征在于， 经过对浅沟槽内的多晶硅层进行化学机械研磨和回蚀刻后，所形成的浅沟槽内 的源极多晶硅和漏极多晶硅的顶部距沟槽顶面20埃～1000埃。
6.根据权利要求1所述的绝缘源漏极MOS晶体管的制造方法，其特征在于， 沉积高氧化层并对其进行化学机械研磨和回蚀刻后，将高氧化层的高度降低到 绝缘层顶面以下并高于源极多晶硅和漏极多晶硅。
7.根据权利要求1所述的绝缘源漏极MOS晶体管的制造方法，其特征在于， 所述栅极绝缘层的材料为硅的氧化物或其他可用作栅极绝缘层的材料。
8.根据权利要求1所述的绝缘源漏极MOS晶体管的制造方法，其特征在于， 所述栅极区域的材料为硅和金属硅化物、金属或者合金。
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