[发明专利]发光二极管芯片的制造方法有效
| 申请号： | 200910048632.4 | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101515624A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 袁根如;郝茂盛;颜建锋;李士涛;陈诚;董云飞 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管芯片的制造方法，在蓝宝石衬底表面制造出凸包形周期性排列的微结构，之后在该衬底的上表面形成缓冲层，在该缓冲层上形成n型半导体层，在该n型半导体层的一部分上形成发光层，在该发光层上形成p型半导体层；以及在该n型半导体层的另一部分和p型半导体层上分别形成n电极和p电极。由于在衬底上形成了蒙古包形周期性排列的微结构，可以减少界面反射并减少内部吸收，可有效改善外延生长的缺陷，从而提高了发光二极管芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：制备衬底，在该衬底上表面形成多个凸包形微结构；在该衬底的上表面形成缓冲层；在该缓冲层上形成n型半导体层；在该n型半导体层上形成发光层；在该发光层上形成p型半导体层。
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