[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管(IGBT)衬底硅片的制作方法无效
| 申请号： | 200910047792.7 | 申请日： | 2009-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101840860A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 武洪建 | 申请（专利权）人： | 武洪建 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/22;H01L21/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200050 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用扩散方法制备绝缘栅双极晶体管(IGBT)P+/N-或者N+/P-衬底硅片的方法。首先对高电阻率的第一导电性单晶片做形成第二导电性的杂质单面或者双面的引入，然后做该杂质的深扩散，然后用减薄抛光方法降低一侧表面至未受到扩散的第一导电区1并使之达到预定厚度。带有高斯函数式分布的第二导电性杂质扩散区3与未受到扩散的第一导电区1形成绝缘栅双极晶体管(IGBT)的背面PN结。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 igbt 衬底 硅片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管(IGBT)衬底的制作方法，包括：a)在电阻率大于15.0Ω.cm的第一导电性硅单晶片表面引入形成第二导电性的杂质；b)进行50～250小时的热扩散形成具有第二导电性的扩散层；c)对硅片的一侧表面实行抛光减薄直至该表面降至第一导电性的未扩散区，形成具有P+/N-或者N+/P-结的衬底；d)在衬底的具第一导电性的抛光面制作绝缘栅双极晶体管(IGBT)的金属氧化物半导体(MOS)的部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武洪建，未经武洪建许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910047792.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用作锂离子电池负极的高能复合材料及制造工艺
- 下一篇：浮子开关
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
