[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管(IGBT)衬底硅片的制作方法无效
| 申请号： | 200910047792.7 | 申请日： | 2009-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101840860A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 武洪建 | 申请（专利权）人： | 武洪建 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/22;H01L21/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200050 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 igbt 衬底 硅片 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种绝缘栅双极晶体管(IGBT)衬底的制作方法，包括：
a)在电阻率大于15.0Ω.cm的第一导电性硅单晶片表面引入形成第二导电性的杂质；
b)进行50～250小时的热扩散形成具有第二导电性的扩散层；
c)对硅片的一侧表面实行抛光减薄直至该表面降至第一导电性的未扩散区，形成具有P+/N-或者N+/P-结的衬底；
d)在衬底的具第一导电性的抛光面制作绝缘栅双极晶体管(IGBT)的金属氧化物半导体(MOS)的部分。
2.根据权利要求1绝缘栅双极晶体管(IGBT)发射极的制造方法，其特征在于：
步骤a)中形成第二导电性的杂质是在硅单晶片单面或者双面的引入。
3.根据权利要求1绝缘栅双极晶体管(IGBT)发射极的制造方法，其特征在于：
步骤c)中的第一导电性的未扩散区从其表面起的深度为60～280微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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