[发明专利]一种晶体硅太阳能电池双层膜的制作方法

摘要

本发明涉及一种晶体硅太阳能电池双层膜的制作方法，其特征在于，具体步骤为：将正硅酸四乙酯和乙醇混合，搅拌加热，把稀释的盐酸溶液加入上述溶液中，冷却，加入有机添加物，搅拌溶解，封闭陈化得到溶胶；用常规方法制备晶体硅太阳能电池基片，用等离子增强化学气相淀积方法形成氮化硅膜，采用制得的溶胶在氮化硅膜上喷涂制备二氧化硅膜，将得到的二氧化硅膜在200～600℃热处理，印刷正反面电极、背场，烘干，烧结。本发明的优点是：太阳能电池表面光反射率更低；太阳能电池片的功率更高；双层膜电池在短波与长波方面吸收进一步提高。

主权项

一种晶体硅太阳能电池双层膜的制作方法，其特征在于，具体步骤为：第一步：量取摩尔比为1∶5-50∶0.5-10∶0.001-1∶0-0.2的正硅酸四乙酯、无水乙醇、去离子水、36.5vol％浓度的盐酸和有机添加物，将盐酸加到去离子水中稀释，将正硅酸四乙酯和无水乙醇混合，搅拌加热至20-100℃，分5-10次加入稀释的盐酸溶液，待温度稳定后继续搅拌60～180分钟，冷却，加入有机添加物，搅拌溶解，封闭陈化得到溶胶；第二步：用常规方法制备晶体硅太阳能电池基片，用等离子增强化学气相淀积方法在晶体硅太阳能电池基片上形成氮化硅膜，采用第一步制得的溶胶在氮化硅膜上喷涂制备二氧化硅膜，其中喷涂速度为1～50ml/min，喷涂时间为1～30s，喷涂温度为20～200℃，二氧化硅膜厚度为30～200nm，将得到的二氧化硅膜在200～600℃热处理1-30分钟，在二氧化硅膜上印刷正反面电极、背场，烘干，在800-1000℃烧结5-120秒。