[发明专利]增大引入沟道中的应力的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 200910045823.5 | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101789377A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 吴汉明;王国华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增大引入沟道中的应力的方法和半导体器件。该方法包括在半导体衬底上形成T形栅；在所述T形栅的周围形成衬层氧化物；在所述衬层氧化物的底面所定义的窗口之外的半导体衬底中形成低掺杂漏区LDD；在所述衬层氧化物的顶面所定义的窗口之外的半导体衬底中形成源区和漏区；在所述衬层氧化物的周围、所述LDD之上和所述源区、漏区上形成高应力氮化物。使用本发明避免了在形成源/漏区时沉积、刻蚀或去除隔离层的工艺步骤，减少了半导体器件的生产成本，提高了半导体器件生产中的良率和工艺稳定性，并且还减少了利用湿法腐蚀去除隔离层时可能引入的缺陷，因此而减小了对半导体器件电学性能和可靠性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 增大 引入 沟道 中的 应力 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种增大引入沟道中的应力的方法，其特征在于，该方法包括：在半导体衬底上形成T形栅；在所述T形栅的周围形成衬层氧化物；在所述衬层氧化物的底面所定义的窗口之外的半导体衬底中形成低掺杂漏区LDD；在所述衬层氧化物的顶面所定义的窗口之外的半导体衬底中形成源区和漏区；在所述衬层氧化物的周围、所述LDD之上和所述源区、漏区之上形成高应力氮化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
