[发明专利]金属层重工方法无效
| 申请号： | 200910045592.8 | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101783292A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 李佩;黄军平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/3105;B24B1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种金属层重工方法，应用于集成电路制造领域，该方法包括下列步骤：对所述金属层进行化学机械研磨处理，去除金属层表面的波形结构和部分金属形成全局平坦化的金属层；在上述金属层上沉积钝化层；对上述结构进行化学机械研磨处理，去除钝化层和部分金属形成平坦化的金属层。本发明提出的金属层重工方法，能够大大减少正常的化学机械研磨工艺后可能造成的表面缺陷：包括金属，化学品，研磨液以及微粒子残留等缺陷甚至金属表面腐蚀及弹坑缺陷，可以显著改善化学机械研磨工艺后的缺陷，提高芯片最终良率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 重工 方法 | ||
【主权项】：
一种金属层重工方法，应用于集成电路制造领域，其特征在于该方法包括下列步骤：对所述金属层进行化学机械研磨处理，去除金属层表面的波形结构和部分金属形成全局平坦化的金属层；在上述金属层上沉积钝化层；对上述结构进行化学机械研磨处理，去除钝化层和部分金属形成平坦化的金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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