[发明专利]一种利用高温气-固反应制备高纯度硅的方法有效

专利信息
申请号: 200910036965.5 申请日: 2009-01-23
公开(公告)号: CN101481111A 公开(公告)日: 2009-07-15
发明(设计)人: 黄新明;张永欣;邝亚镭;郭宽新 申请(专利权)人: 晶海洋半导体材料(东海)有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 代理人: 李海波
地址: 222300江苏省连*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种利用高温气-固反应制备高纯度硅的方法,包括以下步骤:(1)取低纯硅进行破碎处理,然后进行筛分;(2)将破碎好的硅料放入高温固相反应炉中,抽真空到1.0×10-1~1.0×10-4Pa以除去炉内大部分的空气,接着用惰性气体对炉内进行置换以除去炉内空气,然后将硅料升到800℃~1412℃,再充入活性气体,进行气-固反应;(3)将步骤(2)处理后的硅料进行清洗,即得高纯硅产品。本发明方法采用气-固反应制备高纯度硅,生产效率高,设备投资少,能耗低,产能大,对环境影响比较小,成本低,产品纯度高,能一步到位的制备出太阳能电池行业用高纯硅。
搜索关键词: 一种 利用 高温 反应 制备 纯度 方法
【主权项】:
1、一种利用高温气-固反应制备高纯度硅的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)取低纯硅进行破碎处理,然后进行筛分;(2)将破碎好的硅料放入高温固相反应炉中,抽真空到1.0×10-1~1.0×10-4Pa以除去炉内大部分的空气,接着用惰性气体对炉内进行置换以除去炉内空气,然后将硅料升到800℃~1412℃,再充入活性气体,进行气-固反应;(3)将步骤(2)处理后的硅料进行清洗,即得高纯硅产品。
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