[发明专利]一种实现纳米硅量子点可控掺杂的方法无效
| 申请号： | 200910033256.1 | 申请日： | 2009-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101570312A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 徐骏;宋超;陈谷然;黄信凡;李伟;陈坤基;马忠元;徐岭 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 何朝旭 |
| 地址： | 210093江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种实现纳米硅量子点可控掺杂的方法，属于纳米光电子器件技术领域。该方法包括制备掺杂非晶硅薄膜、制备掺杂非晶硅多层膜、以及借助激光照射制备掺杂纳米硅量子点等步骤。本发明提供了一种便捷有效的纳米硅量子点的可控掺杂制备方法，其处理时间短，在纳秒量级，不会对薄膜和衬底造成损伤，且与当前的微电子工艺技术相兼容。在实施过程中，主要采用高能量激光辐照薄膜表面，获得尺寸均匀的纳米硅量子点，并同时实现杂质浓度的可控掺杂，改善薄膜的光电学性质。基于该方法制备的掺杂纳米硅量子点在未来纳米电子和纳米光电子器件等领域中将具有广阔应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 纳米 量子 可控 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
1.一种实现纳米硅量子点可控掺杂的方法，包括以下步骤：第一步、制备掺杂非晶硅单层膜——将衬底材料放置在射频等离子体增强化学气相沉积设备反应腔内的接地金属板上，生长气源采用硅烷(SiH4)与磷烷(PH3)或硼烷(B2H6)的混合气体，启动射频开关，在衬底材料上淀积1-10nm厚的掺杂非晶硅单层膜，完成后关闭射频开关；第二步、制备掺杂纳米硅量子点单层膜——采用激光器发出的高能量激光束辐照第一步中衬底材料上淀积的掺杂非晶硅单层膜，引起掺杂非晶硅单层膜中原子结构的重组，产生由非晶态到晶态的相变，并同时实现对纳米硅量子点的掺杂，获得含掺杂纳米硅量子点的单层膜。
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