[发明专利]一种用MOS工艺结构集成的二极管芯片

摘要

一种用MOS工艺结构集成的二极管芯片。涉及一种由多个单元集成的二极管芯片。本发明芯片的硅片中集成有若干个含有8个半导体管的“细胞”电路，每个半导体管中均设有栅(G)、源(S)、漂移区、漏(D)，所述的栅(G)、源(S)短接；在硅片两面设正极面铝钛镍银金属层、负极面铝钛镍银金属层，所述栅(G)嵌入正极面铝钛镍银金属层的底面，所述漏(D)接触负极面铝钛镍银金属层的顶面。本发明采用MOS工艺结构设计制造，根据MOC场效应晶体管P沟道器件效应原理，设计成柵-源短路新型结构。正向导通压降小、正向导通功耗及发热量小、电流通过能力强、反向漏电流小、反向高温特性好和具有较强抗静电抗雷电能力。

主权项

1、一种用MOS工艺结构集成的二极管芯片，其特征在于，所述芯片的硅片中集成有若干个含有8个半导体管的“细胞”电路，每个半导体管中均设有栅(G)、源(S)、漂移区、漏(D)，所述的栅(G)、源(S)短接；在硅片两面设正极面铝钛镍银金属层、负极面铝钛镍银金属层，所述栅(G)嵌入正极面铝钛镍银金属层的底面，所述漏(D)接触负极面铝钛镍银金属层的顶面。