[发明专利]一种用于高密度多层电路板铜箔间导电的微孔制造方法无效
| 申请号： | 200910023055.3 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101588679A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 方湘怡;刘纯龙;王红理;李正;谢永红;程向明 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H05K3/42 | 分类号： | H05K3/42 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汪人和 |
| 地址： | 710049陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于高密度多层电路板铜箔间导电的微孔制造方法，首先在高密度多层电路板的表面铜箔上以局部电镀的方法在待钻微孔的位置沉积含锡金属层，再用脉冲二氧化碳激光微束在镀有含锡金属层的位置钻孔，使含锡金属层底部的表面铜箔被熔蚀形成铜箔微孔；再用脉冲二氧化碳激光微束对准表面铜箔的铜箔微孔处对其下的基板介质钻基板介质孔直至层间铜箔。本发明将高密度电路板制造中的铜导电层的钻孔工艺和介质基板的钻孔工艺合二为一，大大简化了生产工艺；避免了大量酸性和有机污染物的排放，达到了降低成本，保护环境的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 高密度 多层 电路板 铜箔 导电 微孔 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于高密度多层电路板铜箔间导电的微孔制造方法，其特征在于，包括如下步骤：1)首先在高密度多层电路板的表面铜箔(1)上以局部电镀的方法在待钻微孔的位置沉积厚度为4.5～5.0微米的含锡金属层(6)；2)用85J/cm2～150J/cm2能量密度的脉冲二氧化碳激光微束在镀有含锡金属层(6)的位置钻孔，使含锡金属层(6)底部的表面铜箔(1)被熔蚀形成铜箔微孔(7)；3)再以70J/cm2～85J/cm2能量密度的脉冲二氧化碳激光微束对准表面铜箔(1)的铜箔微孔(7)处对其下的基板介质(3)钻基板介质孔(8)直至层间铜箔(2)。
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