[发明专利]一种用于高密度多层电路板铜箔间导电的微孔制造方法无效

专利信息
申请号: 200910023055.3 申请日: 2009-06-25
公开(公告)号: CN101588679A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 方湘怡;刘纯龙;王红理;李正;谢永红;程向明 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H05K3/42 分类号: H05K3/42
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 汪人和
地址: 710049陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 用于 高密度 多层 电路板 铜箔 导电 微孔 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于高密度多层电路板铜箔间导电的微孔制造方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)首先在高密度多层电路板的表面铜箔(1)上以局部电镀的方法在待钻微孔的位置沉积厚度为4.5~5.0微米的含锡金属层(6),所述含锡金属层(6)为锡-银合金、锡-锌铋合金、锡-铋合金或纯锡金属层;

2)用85J/cm2~150J/cm2能量密度的脉冲二氧化碳激光微束在镀有含锡金属层(6)的位置钻孔,使含锡金属层(6)底部的表面铜箔(1)被熔蚀形成铜箔微孔(7);

3)再以70J/cm2~85J/cm2能量密度的脉冲二氧化碳激光微束对准表面铜箔(1)的铜箔微孔(7)处对其下的基板介质(3)钻基板介质孔(8)直至层间铜箔(2)。

2.根据权利要求1所述的用于高密度多层电路板铜箔间导电的微孔制造方法,其特征在于,所述局部电镀的方法是:

1)在高密度多层电路板的表面铜箔(1)上粘贴一层绝缘胶带(4);

2)用20J/cm2密度的脉冲二氧化碳激光微束烧蚀掉待钻微孔处的绝缘胶带(4),使待钻微孔处的表面铜箔(1)暴露在外;

3)给暴露在外的待钻微孔处的表面铜箔(1)上电镀一层含锡金属层(6);

4)揭去表面铜箔(1)上粘贴的绝缘胶带(4),在铜箔表面只有待钻微孔处的含锡金属层(6)。

3.根据权利要求1所述的用于高密度多层电路板铜箔间导电的微孔制造方法,其特征在于,在步骤(3)的钻孔过程中,以有机溶剂同步清洗钻孔形成的有机物和碳化物粉末。

4.根据权利要求4所述的用于高密度多层电路板铜箔间导电的微孔制造方法,其特征在于,所述有机溶剂为乙醇或IPA。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910023055.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top