[发明专利]片式抗电磁干扰高频电感元件无效

专利信息
申请号: 200910017449.8 申请日: 2009-07-30
公开(公告)号: CN101651009A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 周兴建;高启龙;谢真 申请(专利权)人: 临沂正原电子有限公司
主分类号: H01F19/04 分类号: H01F19/04;H01F27/40;H01F27/28;H01F27/24;H01F1/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 276017山东省临沂市罗庄区临*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种片式抗电磁干扰高频电感元件,由电阻和电容组成的串联电路和在片式锰锌铁氧体材料磁芯上缠绕两圈半而形成的线圈构成的,所说电阻值为50~150欧姆,电容的电容量为0.001uF,所说锰锌铁氧体材料磁芯由68%的三氧化二铁、20%的四氧化三锰20、10%的氧化锌、1%的纳米碳酸钙1和1%的纳米五氧化二钒按重量配比制备而成。本发明片式抗电磁干扰高频电感元件,是在几乎不影响传输信号的波形质量的前提下,既具有抑制辐射电磁场强度又有抑制辐射噪声的效果,针对高速信号使用效果最好;还具有体积小、片式化的特点。
搜索关键词: 片式抗 电磁 干扰 高频 电感 元件
【主权项】:
1、一种片式抗电磁干扰高频电感元件,其特征是它由电阻和电容组成的串联电路和在片式锰锌铁氧体材料磁芯上缠绕两圈半而形成的线圈构成的,所说电阻值为50~150欧姆,电容的电容量为0.001uF,所说锰锌铁氧体材料磁芯由68%的三氧化二铁、20%的四氧化三锰20、10%的氧化锌、1%的纳米碳酸钙1和1%的纳米五氧化二钒按重量配比制备而成。
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