[发明专利]基于GaAs衬底的AlGaInP四元三端电极发光管无效
| 申请号： | 200910015896.X | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101587929A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 沈燕;刘存志;李懿洲;赵霞炎;彭璐;郑鹏;张新;李树强;夏伟;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种基于GaAs衬底的AlGaInP四元三端电极发光管，其管芯结构自上而下依次包括GaP层、P型AlGaInP层、量子阱有源区、N型AlGaInP层、布拉格反射层、GaAs层和GaAs衬底，在GaP层的上面设有P电极，在GaAs层上设有一个台面，该台面上蒸镀有N电极，GaAs衬底上设有基板N电极。本发明在同一面设置P电极和N电极两个电极以及在背面设置基板N电极，形成了具有三端电极的发光管管芯结构，该管芯同面双电极，一正极一负极，在显示屏上把固定焊接底板和导通电源引线两方面分开，同时背面电极也可以做电源电极，对LED在实际应用中起到双保险作用，同时又保证焊线端的质量，避免了焊接不牢引起的导线断路问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gaas 衬底 algainp 四元三端 电极 发光 | ||
【主权项】：
1.一种基于GaAs衬底的AlGaInP四元三端电极发光管，其管芯结构自上而下依次包括GaP层、P型AlGaInP层、量子阱有源区、N型AlGaInP层、布拉格反射层、GaAs层和GaAs衬底，其特征是：在GaP层的上面设有P电极，在GaAs层上设有一个台面，该台面上蒸镀有N电极，GaAs衬底上设有基板N电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东华光光电子有限公司，未经山东华光光电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910015896.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：软连接电池极柱结构
- 下一篇：电动汽车用电池模块导电汇流条
