[发明专利]基于GaAs衬底的AlGaInP四元三端电极发光管无效
| 申请号： | 200910015896.X | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101587929A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 沈燕;刘存志;李懿洲;赵霞炎;彭璐;郑鹏;张新;李树强;夏伟;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 gaas 衬底 algainp 四元三端 电极 发光 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于GaAs衬底的AlGaInP四元三端电极发光管，其管芯结构自上而下依次包括GaP层、P型AlGaInP层、量子阱有源区、N型AlGaInP层、布拉格反射层、GaAs层和GaAs衬底，其特征是：在GaP层的上面设有P电极，在GaAs层上设有一个台面，该台面上蒸镀有N电极，GaAs衬底上设有基板N电极。
2.根据权利要求1所述的基于GaAs衬底的AlGaInP四元三端电极发光管，其特征是：所述GaP层上均匀镀有一层透明导电薄膜。
3.根据权利要求1所述的基于GaAs衬底的AlGaInP四元三端电极发光管，其特征是：所述P电极上设有向外延伸的支腿。
4.根据权利要求1所述的基于GaAs衬底的AlGaInP四元三端电极发光管，其特征是：所述N电极两个外侧面上均延伸出一脚。
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