[发明专利]一种三维网络碳化硅表面制备氧化铁陶瓷薄膜的方法

摘要

一种三维网络碳化硅表面制备氧化铁陶瓷薄膜的方法，属于材料技术领域，包括以下步骤：(1)采用溶胶-凝胶法制备含铁溶胶；(2)采用真空浸渍法在3D-SiC上进行涂覆；(3)涂覆含铁溶胶完成后的三维网络碳化硅进行烧结。本发明以廉价的原料、简单的制备方法、简短的制备周期，在3D-SiC基体表面制备均匀、致密、气孔率低的氧化铁陶瓷薄膜，薄膜与基体有较强的结合强度，薄膜的抗热震性优良，从而实现对3D-SiC/钢的界面反应进行控制。

主权项

1、一种三维网络碳化硅表面制备氧化铁陶瓷薄膜的方法，包括溶胶制备，薄膜涂覆和烧结，其特征在于按以下步骤进行：(1)将硝酸铁配制成0.05～0.5mol/L硝酸铁溶液，在溶液中加入尿素，尿素的加入量按摩尔比为尿素∶铁离子＝2～4∶1；将获得的溶液在搅拌条件下升温，搅拌速度为100～200rpm，升温至40～55℃，保温25～35min，然后冷却至室温，静置至少6h，再加热至70～95℃，保温20～40min，获得含铁溶胶；(2)将三维网络碳化硅在真空条件下浸没在含铁溶胶中，浸渍20～30min，然后取出在室温下干燥10～25min，加热至46～55℃干燥10～25min，加热至75～90℃干燥20～40min，完成涂覆；(3)将涂覆含铁溶胶完成后的三维网络碳化硅升温至120～180℃保温50～80min，升温至250～340℃保温100～170min，升温至400～600℃保温150～200min；升温速度为2～8℃/min，在三维网络碳化硅表面制备出氧化铁陶瓷薄膜。