[发明专利]用于制造半导体器件的方法及设备无效
| 申请号： | 200910009696.3 | 申请日： | 2009-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101504922A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 桂洋介;税所一郎;岩波理佳 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制造半导体器件的方法及设备。提供一种用于制造半导体器件的方法及设备，所述半导体器件具有无盖结构和高可靠性的倒装芯片结构。所述用于制造半导体器件的方法，其中在基板与半导体芯片之间的空间中填充有底部填充树脂，包括：在第一注入条件下在所述空间中注入第一底部填充树脂；指定在所述半导体芯片的侧面上形成的底部填充树脂的嵌边高度不满足规定标准的地点；以及在第二注入条件下在嵌边高度不满足规定标准的地点中注入第二底部填充树脂。因为嵌边高度能一致地满足规定标准，所以能避免应力集中，并且能制造具有无盖结构和高可靠性的倒装芯片结构的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 设备 | ||
【主权项】：
1. 一种用于制造半导体器件的方法，其中，在基板与半导体芯片之间的空间中填充底部填充树脂，所述方法包括：在第一注入条件下在所述空间中注入第一底部填充树脂；指定在所述半导体芯片的侧面上形成的底部填充树脂的嵌边高度不满足规定标准的地点；以及在第二注入条件下在嵌边高度不满足规定标准的地点处注入第二底部填充树脂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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