[发明专利]用于制造半导体器件的方法及设备无效
| 申请号： | 200910009696.3 | 申请日： | 2009-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101504922A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 桂洋介;税所一郎;岩波理佳 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 设备 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法，其中，在基板与半导体芯片之间的空间中填充底部填充树脂，所述方法包括：
在第一注入条件下在所述空间中注入第一底部填充树脂；
指定在所述半导体芯片的侧面上形成的底部填充树脂的嵌边高度不满足规定标准的地点；以及
在第二注入条件下在嵌边高度不满足规定标准的地点处注入第二底部填充树脂。
2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，
所述规定标准要求所述嵌边高度不超过规定高度，所述规定高度被设立成比所述半导体芯片的上表面的高度低。
3.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，其中，
所述规定高度比所述半导体芯片的高度至少低17％。
4.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，其中，
所述规定高度是至少覆盖层间绝缘膜的高度，所述层间绝缘膜由在所述半导体芯片的电路形成平面上形成的多层布线结构组成。
5.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件的方法，其中，
所述层间绝缘膜的相对介电常数比SiO2的相对介电常数低。
6.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，
在第一注入条件下在所述空间中进行的底部填充树脂的注入是通过沿着所述半导体芯片的侧面移动针来注入所述底部填充树脂，所述针是用于喷射所述底部填充树脂的喷嘴。
7.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，在第二注入条件下在嵌边高度不满足规定标准的地点处进行的底部填充树脂的注入是使用喷墨系统来注入所述底部填充树脂。
8.根据权利要求3所述的用于制造半导体器件的方法，其中，
在所述第一注入步骤之前，所述半导体芯片被倒装芯片安装在所述基板上；以及
所述半导体器件在所述半导体芯片的上表面上没有盖。
9.根据权利要求1所述的用于连续地制造多个半导体器件的方法，其中，
在第一注入条件下在所述空间中进行的底部填充树脂的注入对于半导体器件中的任何一种都是相同的。
10.一种用于制造半导体器件的设备，其中，在基板与半导体芯片之间的空间中填充底部填充树脂，所述设备包括：
测定单元，其用于测定在所述半导体芯片的侧面上形成的底部填充树脂的嵌边高度；
指定单元，其用于指定所述嵌边高度不满足规定标准的地点；以及
附加注入条件选择单元，其用于根据检测到的嵌边高度来选择在将所述底部填充树脂附加注入到所指定的地点时的注入条件，以使得所述嵌边高度满足所述规定标准。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
