[发明专利]电极单元、基板处理装置及电极单元的温度控制方法有效
| 申请号： | 200910008928.3 | 申请日： | 2009-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101527262A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 肥田刚;大藪淳 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/02;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够对整个电极层进行适当的温度控制的电极单元。具备对基板实施等离子体蚀刻的处理室(17)的基板处理装置(10)，具有与载置半导体晶片(W)且向处理室(17)内施加高频电压的基座(12)相对设置的作为上部电极单元的喷淋头(29)，该喷淋头(29)具有从处理室(17)侧依次设置的暴露在处理室(17)内的电极层(32)、加热层(33)以及冷却层(34)，加热层(33)全面覆盖电极层(33)，并且冷却层(34)通过加热层(33)全面覆盖电极层(32)，在加热层(33)以及冷却层(34)之间配置有填充了传热气体的传热层(36)。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 单元 处理 装置 温度 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电极单元，配置在具备用等离子体对基板进行处理的处理室的基板处理装置中，其特征在于，包括：从所述处理室侧依次设置的，暴露在所述处理室内的电极层、加热层以及冷却层，所述加热层全面覆盖所述电极层，并且所述冷却层通过所述加热层全面覆盖所述电极层，在所述加热层和所述冷却层之间配置有填充有传热介质的传热层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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